技术编号:6894492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造高电压晶体管的半导体器件结构和工艺。技术背景在半导体领域中高电压场效应晶体管(HVFET)已是公知的。很多 HVFET采用的器件结构包括延伸的漏极区,当器件处于"截止"状态时, 该延伸的漏极区支持或阻断所施加的高电压(例如几百伏)。在常规 的垂直HVFET结构中,半导体材料的台或柱形成用于导通状态中的电 流的延伸的漏极或漂移区。在衬底顶部附近、与台的側壁区域相邻地 形成沟槽栅极结构,在台处将本体区设置在延伸的漏极区上方。向栅 极施加适当的...
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