技术编号：6894498
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体装置制造的方法，且更具体而言，涉及形成具有 低电阻率与低表面粗糙度的钨膜的方法以及使用该鴒膜的半导体装置的布 线的形成方法。背景技术半导体装置中的布线例如栅极主要是由多晶硅膜形成。使用多晶硅膜是 因为其可充分满足半导体装置中栅极所要求的物理特性，例如高的熔点，易 于形成薄膜，易于图案化线，在氧化气氛中的稳定性，以及形成平坦化的表面。此外，在金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)装置中，低的栅极 电阻可以通过将诸如磷(P)、砷(As)...
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