技术编号:6894544
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘膜材料,其有利于在半导体集成电路的多层互连结 构内形成绝缘膜,还涉及一种具有介电常数低且耐损性优异的绝缘膜的多层 互连结构,所述绝缘膜由绝缘膜材料形成,且还涉及一种制造多层互连结构 的方法以及一种制造半导体器件的方法。背景技术近年来,随着半导体集成电路的集成度和元件密度的增加,对多层 半导体元件的需求也日益增多。随着半导体集成电路集成度的增加,互 连之间的间距变得越来越小,互连间电容的增大导致的互连时延成为一 个问题。互连时延(T)由如下...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。