技术编号:6894545
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤指一种移除 源极轻掺杂区与晕型摻杂区而得到较大电阻线性度范围的金属氧化物半导 体晶体管及其制作方法。背景技术电压可控制电阻是一种可透过输入控制信号来改变电阻值大小的元件,其被广泛应用在各种集成电路上,例如调变电路(tuning circuit )。 一般而言, 流过电阻的电流值与电阻两端的电压呈现线性关系时会被认定为特性良好 的电阻,换句话说,在操作范围内的电阻值若维持在一定值的时候,会被视 为特性良好的电阻,而金属氧化物半导体晶体管,或...
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