技术编号:6894573
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。技术背景以前,在被称作CSP (芯片大小封装)的半导体器件中,例如像 日本特开2004-281614号公报中记载的那样,在形成在半导体衬底上 的布线的连接焊盘部上表面形成柱状电极。此时,半导体器件的制造 方法使用如下方法在于半导体衬底上的整个面上形成的基底金属层 上形成的布线的上表面及基底金属层的上表面,形成在布线的连接焊 盘部、即柱状电极形成区域所对应的部分具有开口部的抗电镀剂膜, 通过进行以基底金属层作为电镀电流路的电解电镀,在抗电镀剂膜的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。