技术编号：6894624
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有增强的性能的CMOS结构。背景技术在半导体电路中，通常场效应晶体管(FET)用作开关器件或信号处 理器件。为了降低功耗，通常以典型地称为互补金属氧化物半导体(CMOS) 结构的互补掺杂(即，包括n导电类型掺杂剂和p导电类型掺杂剂)的场 效应晶体管对的形式制造场效应晶体管。场效应晶体管结构和器件制造的新的发展已经集中于在场效应晶体管 结构内使用机械应力层，以便在场效应晶体管结构内提供机械应变的沟道 区域。继而，希望机械应变的沟道区域在场效应晶体...
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