技术编号:6894984
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及放置在阳极(plate)上的基 板的处理方法。背景技术蒸镀在晶片表面上的薄膜,可以利用蚀刻有选择地去除,并在晶片 表面上形成所希望的图案。在半导体制造过程中会反复进行这种处理。 此外,不仅针对蒸镀的膜,为了生成沟槽(trench),也可以对硅基板本 身进行蚀刻。薄膜可以包括光致抗蚀剂(photoresist)、氧化硅膜或氮化 硅膜等不同的薄膜。氧化膜或氮化膜与光致抗蚀剂相比会提供更良好的 蚀刻条件。下面,对一般的等离子体蚀刻装置进行说...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。