技术编号:6895006
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及SOI (Silicon on Insulator)衬底及由其制造的半导 体装置。本发明特别涉及通过键合的SOI技术,并且涉及将单晶或多 晶半导体层键合到如玻璃等具有绝缘表面的衬底的SOI衬底及由其制造的半导体装置。技术背景目前正在开发使用被称为绝缘体上硅片(下面也称为SOI)的半导体衬底的集成电路,该半导体衬底在绝缘表面上设置有较薄的单晶半导体层而代替将单晶半导体锭切成薄片来制造的硅片。使用SOI衬底的集成电路因为使晶体管的漏极和衬底之间的寄生...
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