技术编号:6895363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种生产III族氮化物半导体装置的方法。在MOCVD法中,在以适当温度加热的基质上提供以氨气和III族烷基化合物如三甲基铝(TMA),三甲基镓(TMG)和三甲基铟(TMI)的气体,使得气体被热分解,从而在基质上形成一层理想的晶体薄膜。在这种情况下,组成缓冲层原材料气体的金属有机材料如TMA等很昂贵,以致于它们成为导致III族氮化物半导体装置价格增加的一个因素。如果用另外的方法而不是MOCVD方法形成AlXGa1-XN(O≤X≤1)缓冲层,则可避免...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。