技术编号:6895414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光器件和一种氮化物半导体发光器件,具体 地,涉及一种半导体发光器件和一种氮化物半导体发光器件,其能够抑制有 源层结晶度恶化并且具有高发光效率和高电流密度。背景技术常规氮化物半导体发光器件的结构通常是在衬底上顺序层叠n型氮化物 半导体层、n型或未掺杂的氮化物半导体有源层和p型氮化物半导体层的结构。在具有此结构的氮化物半导体发光器件中,由于氮化物半导体有源层是 n型的并且电子的有效质量小于空穴的有效质量,在高电流密度下氮化物半 导体有源层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。