技术编号:6895420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SOI (绝缘体栽硅)衬底的制造方法,该SOI衬底具有由硅等半导体材料构成的半导体层。在本说明书中,半导体装置指的是能够通过利用半导体特性而工 作的所有装置,因此电光装置、半导体电路及电子设备都是半导体装背景技术对于利用SOI衬底而代替大块状硅片的集成电路的开发正在进 行。在该SOI衬底中,在绝缘层上形成有薄单晶硅层。通过有效地利用薄单晶硅层的特长,可以将集成电路中的晶体管形成为彼此完全电 分离,并且使晶体管成为完全耗尽型。因此,可以实现高集...
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