技术编号:6895519
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种改善界面结构的太阳能电池。 背景技术P型半导体层结构对太阳电池特性的影响,包括[l]光吸收是数及 折射率对于短路电流(Isc)的影响、[2]费米准位的位置(活化能)对于开 路电压(Voc)的影响、[3]窗p、 p/i介面特性、[4]P型半导体层膜厚与 特性的均一性对于填充因子(FF)及开路电压(Voc)的影响,因此,P型半导体层对于转换效率扮演重要的角色。然而,现有太阳电池制程以化学气相沉积(Chemical Vapor D印osition,...
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