技术编号:6895544
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏,特別涉及一种膜层、膜层的形成方法和 具有该膜层的薄膜太阳能电池。背景技术目前,薄膜太阳能电池代表着光伏发电技术的发展趋势。基于氩化 硅的包括氢化非晶硅和氫化钠米硅的薄膜太阳能电池具有低制造成本, 便于大面积集成的优点。薄膜太阳能电池是多层器件,如图1所示,典型的基于氫化硅的薄膜太阳能电池通常具有由p层10、 i层ll和n层12组成的 p-i-n叠层结构,其中p层10、 i层ll和n层12分別为p型摻杂非晶硅层、i型 (非掺杂的非晶硅、納米硅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。