技术编号:6895567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在基底上沉积铜互连层的方法。背景技术使用多种蚀刻方法制造晶体管。但是,铜的干蚀刻不够有效,因为多的。在半导体工业中,已经开发出镶嵌法,其中首先制造通孔,然后通过 千法(溅射)和湿法(电镀)的组合将铜填入孔中。在平板显示器工业中, 铜的使用被认为如在半导体工业中那样降低了信号延迟,但是镶嵌法被认 为不合适,因为这种方法需要比现有布线法多得多的步骤,且对于大的基 底(例如对于G5 TFT-LCD板,1.5米x 1.8米)并不总是有效。这种方法 的使用...
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