技术编号:6895650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及能够不发生漏电流并且增大电荷存储容量的。近来,随着半导体技术的发展,目前对存储器件的需求激增。因此,要求存储器件在狭小的面积上具有大的电容量。这种电容器的静电容量(capacitance)是通过扩大下部电极表面积、采用高介电常数的电介质来增大的。已有的电容器是采用介电常数比氮化物-氧化物(NO)膜更高的氧化钽(Ta2O5)作为电介质膜、形成三雏的下部电极的结构。附图说明图1是已有的半导体存储器件的电容器的剖面图。如图所示,在预定部位形...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。