技术编号：6895748
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于半导体元件的，尤其关于快闪存储器单元(flash memory cells)与其相关的栅结构，其当依据本发明的一部分制作时，可以享 有较宽的侧壁子蚀亥U工艺容许范围(wider spacer-etching process window),且 可得到许多优点，尤其是应用到相对地较小尺寸的半导体元件时。背景技术快闪存储器单元是一种半导体存储器元件。大致上来说，半导体元件都 是由很小的零件，或是一堆很小的零件，形成在小片的半导体材料上，而此 半导体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。