技术编号:6895852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种提高薄膜性能的方法,具体是一种提高CoSi2薄膜热稳定性的方法。用于材料制备。背景技术 难熔金属硅化物广泛应用于大规模集成电路中作互联材料,欧姆接触材料和肖特基接触材料。其中,CoSi2具有15-20μΩcm的低电阻、晶格常数与Si接近晶格失配率小等特点而成为最受关注的材料。多晶CoSi2薄膜的热稳定性较低,高温退火时会形成热蚀沟,并且长大形成结块,从而大大提高薄膜的电阻率,从而阻碍薄膜的应用和推广。人们发明了各种方法提高CoSi2薄膜的热稳...
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