技术编号:6895964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制程,尤其涉及多晶硅膜的阻值测试方法。 背景技术晶体管结构可分为双载子型(bipolar)和MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) 型。双载子型IC的运算速度较快但电力消耗较大,制造工程也复杂,并不是 VLSI的主流,而MOS型是由电厂效应晶体管(FET)集积化而成。先在硅上形 成绝缘氧化膜之后,再由它上面的外加电极(金属或多晶硅)加入电场来控制 其动作,制程比较简单,也较不耗电,最早成为实用化的是P-MOS,但其动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。