技术编号:6895965
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种半导体光电探测的方法,具体是一种。背景技术 远红外探测成像在天体物理、生物医学和新材料探索等研究方面具有广泛的应用前景。由于远红外成像技术上的困难、远红外探测器的昂贵、以及复杂的读出电路,远红外探测成像只用于特殊的用途。通过低廉的砷化镓同质结远红外探测器与砷化镓和铝镓砷发光二极管的集成结构,在远红外光辐射下,探测器的电阻下降,引起发光二极管上电压的增加,使发光二极管发出可被硅电荷耦合器件探测的近红外光,这样就可以实现远红外光的成像。这种半...
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