技术编号:6896000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池的减反射膜,特别是一种太阳能电池的双层 减反射膜加工方法。背景技术以前所使用的普遍方法是采用PECVD (高温气相化学沉积),直接 在扩散完成后的硅片表面上进行氮化硅沉积,氮化硅相对于较早的Ti02 有明显的改善,因为氮化硅膜中富含[IT]键,可以捕获因表面结构处理 所产生缺陷的电子,减少表面复合中心的数量,提高太阳能电池的输出 电流,但是由于[Hl键不是稳定结构,容易脱离硅片表面,[FT]键脱离 所产生的地方造成缺陷,影响太阳能电池的...
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