技术编号：6896129
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种氮化镓半导体元件和发光二极管，特别涉及一种利用富 含金属的氮化物薄膜以增加半导体元件的外延品质的结构。背景4支术近年来，半导体材料被广泛地应用于电子元件、集成电路与固态照明领域等；然而，如图1所示，半导体元件100往往容易因为基板IO与半导体 叠层12的晶格常数(lattice constant)不匹配，造成半导体材料在外延过程中发 生晶格错位而产生位错(dislocation)14的情形；这种晶格缺陷容易影响半导 体材料的电学性质，降低半导...
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