技术编号:6896186
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种晶体硅(单晶硅或多 晶硅)太阳能电池。背景技术目前,通常的晶体硅太阳能电池10,如图1所示,其典型结构 包括正面栅状金属电极12、减反射及钝化层13、 n+型重掺杂层14、 p型轻惨杂晶体硅衬底16、背面电极17,其中,正面栅状金属电极 12直接与n+型重掺杂层14连接并形成欧姆接触;n+型重掺杂层14 是在p型轻掺杂晶体硅衬底16的一个表面上通过扩散、离子注入或 外延等方法形成的,并且,n+型重掺杂层14和p型轻惨杂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。