技术编号：6896239
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及采用金属氧化物形成的栅介质，尤其涉及形成非晶金属氧化物栅介质的方法。为了减少晶体管的尺寸，就需要相当地减少相当的栅介质层厚度，此处，相当的栅介质层厚度是指相当的二氧化硅栅介质层的厚度。一种在半导体器件中有效减少相当的氧化物厚度的方法已经采用了高K介质材料来代替二氧化硅。人们知道，在保持相同的电特性时，采用高K介质材料制成的介质层的物理厚度大于相当的二氧化硅介质层。例如，如果二氧化硅介质层具有为4的介质常数并且生长到30埃厚，那么具有介质常数为...
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