技术编号：6896527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件，尤其涉及到在高密度集成电路中制作的晶体管。背景技术 目前，需要一种具有高密度和功能增强的集成电路。为了满足这个需求，必须减小集成电路中晶体管的尺寸。例如，期望未来制作的集成电路晶体管具有100nm或更小的有效沟道长度。如此小的晶体管常常受到边缘场和其它短沟道效应的不利影响，这些效应降低晶体管的性能并削弱对晶体管工作的控制。为了减少短沟道效应，通常使用更薄的栅极绝缘层。然而，薄的栅极绝缘层常常引起额外的栅极泄漏电流，栅极泄漏电流使集...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。