技术编号：6896533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及电子装置，并且更具体地，涉及形成半导体器件 的方法和结构。背景技术在过去，半导体工业利用各种方法和结构来形成肖特基二极管。 由于将各种元件集成在单个集成电路上的能力的增加，期望将肖特基二极管和其他半导体元件一起集成在半导体村底上。在1995年5月 23日发布给Todd等人的美国专利号5，418，185和2006年3月28曰发 布给Hideaki Tsuchiko的美国专利号7,019,377中提供了这样的肖特 基二极管的例子。在一些应用中，期...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。