技术编号:6896540
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于半导体集成电路领域,尤指一种能够于硅锗外延生长(epitaxial growth )期间减少微负载效应(micro-loading effect)的硅锗装置。 背景技术在传统的技术中,会将应力(stress)引入到金氧半晶体管(MOS transistor)的沟道区域以增加载流子迁移率(carrier mobility ),进而提高金 氧半晶体管的性能。 一般而言,对于N型金氧半装置,希望在源极至漏极 方向的沟道区域产生张应力(tensile ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。