技术编号：6896630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及宽禁带半导体氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)器件， 具体来说，涉及利用复合介质材料结构降低氮化镓HEMT栅极漏电流的同 时緩解电流崩塌效应的器件结构设计。背景技术第三代半导体氮化镓(GaN)的介质击穿电压远远高于第一代半导体 硅(Si)或第二代半导体砷化镓(GaAs)，高达3MV/cm，使其电子器件 能承受很高的电压。氮化镓异质结结构的沟道具有很高的电子浓度和电子 迁移率，这意味着氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的能在高频率导 通高电流，...
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