技术编号：6896862
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，属于透明导电金属薄 膜。背景技术目前，太阳电池、半导体探测器、电致发光及平板显示器等光电器件中均需要低电阻、高透光性能的透明电极。透明导电氧化物薄膜(TCOs)，如氧化 铟系、氧化锌系以及氧化锡系的薄膜通常作为上述器件的透明电极。作为氧化 铟系的ITO(掺锡氧化铟)特别有名，被广泛使用。但是ITO有许多不足，例如 相对Ag、 Ni等金属而言，ITO的电阻率较高不能满足上述器件更低电阻率的发 展要求，ITO紫外波段的低透过率也限制了其应用领域，而...
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