技术编号:6896863
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于氮化物材料系发光器件,具体地说,是关于氮化物基脊型发光二极管和 氮化物基脊型激光器,以及它们的制备方法。背景技术氮化物材料系(A1N, GaN, InN)可以形成发光的连续固溶合金,发光的范围从深紫 外到中红外波段,故利用氮化物材料系可制备覆盖整个中红外光波段到深紫外的高效率光 电子器件。氮化物光电子器件,特别是氮化物基激光器,不仅是下一代高密度光存储,高 亮度、大尺寸全彩显示的基石,而且揭开了照明、印刷制版、激光打印等行业革命性技术 进步的序...
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