技术编号:6896869
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别是指基于低维半导体纳米结构量子点材料的量子器件,如铟砷/镓砷(InAs/GaAs)量子点激光器有源区的外延生长方法。背景技术新一代高速光通信网的发展迫切需要低成本、高性能的长波长半导体激光器光源。镓砷(GaAs )基1 .3微米铟砷(InAs )量子点激光器作为有力的候选者之 一 ,近年已吸引了国内外科技人员们的极大注意力。由于半导体纳米结构量子点材料的独特物理特性,如有像原子 一 样的分立电子能级和像5函数 一 样的电子态密度,半导...
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