技术编号:6896905
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化合物半导体器件MMIC,尤其涉及一种单 片集成GaAs基增强/耗尽型高电子迁移率晶体管(E/DMHEMT)的制作方法。背景技术高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高频、高速、高功率增益和 低噪声系数的特点,因而大量应用于军事、太空和民用通讯领域。如 毫米波雷达、电子战、智能装备、卫星通讯和辐射天文学等。GaAs基HEMT主要应用于Ka波段以下,而InP基HEMT在更高 的W波段仍具有高增益和低噪声性能,但是InP基HEMT的不足之处 在于 一是源...
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