技术编号:6896959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料生长,尤其涉及一种液滴外延结合图形衬底生长InAs/GaAs可控量子点和量子环的方法。 背景技术低微纳米结构材料在诸如量子信息处理,量子密码通讯等方面有 着越来越广泛的应用,许多非常具有实用价值的量子器件如单分子光 源都是基于对量子点的可控生长才能得以实现的。目前的低微纳米结 构材料的生长包括分子束外延(MBE)生长技术,金属有机化合物气 相淀积技术(MOCVD)等等,其中基于分子束外延(MBE)生长技 术的应变自组装(SK)生长技术是...
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