技术编号:6896969
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于GaN基发光二极管(LED)的制备方法,具体涉及一种薄膜型光子晶格结 构GaN基发光二极管的制备方法。背景技术GaN基LED的出现和发展引起了一场席巻全球的固态照明革命,由于受内部全反射的限 制,LED中产生的光大部分被禁锢在高折射率半导体内部,如何提高发光效率是发展LED 面临的最大挑战,理论研究表明,实现半导体照明要突破的瓶颈就是要提高发光效率,这 需要在科学和技术上的突破。由于GaN膜生长在蓝宝石等异质衬底上,材料质量较差导致 内量子效率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。