技术编号:6896982
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种层间介质层化学机 械研磨方法。背景技术化学机械研磨(Chemical Mechanical Planarization, CMP)是一 种全局表面平坦化技术,在半导体制造过程中用以减小位于晶片上膜层 的厚度变化和表面形貌的影响。由于CMP可精确并均匀地把位于晶片上的 膜层研磨为需要的厚度和平坦度,已经成为半导体制造过程中应用最广 泛的一种表面平坦化技术。实践中,确定某些材料已研磨至所需厚度是简单的,如研磨鴒层时, 由于金属...
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