技术编号:6897416
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及 一 种制造用于场效应晶体管的半导体器件的方法。背景技术日本特开2003-318398公开了 一种半导体器件。在这种器件 中,形成N—型多晶硅区和N+型多晶硅区,并且N—型多晶硅区 和N+型多晶硅区与半导体衬底的主表面邻接,在该半导体衬底 中,在N+型碳化硅衬底上形成N—型碳化硅外延区。N—型碳化 硅外延区、N—型多晶硅区和N+型多晶硅区形成异质结。此外, 通过栅极绝缘膜,在与N—型碳化硅外延区和N+型多晶硅区的 结部分邻接的位置处形成栅电极。将...
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