技术编号:6897498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,特别涉及一种氮化镓基发光二极管芯片及其 制作方法。背景技术氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)具有体积小、耐冲击性好、可靠度 高、响应速度快、节能、绿色环保等优良特性,因而其应用将越来越广泛。但 是,目前氮化镓基发光二极管的发光效率还比较低,因此在当前其应用还受到 一定限制。图1为氮化镓基发光二极管外延片的结构示意图。如图l所示,该外延片 的结构从下往上依次为蓝宝石衬底l、 N型氮化镓2、有源区3、及P型氮化 镓4。由于蓝宝石衬底l是绝...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。