技术编号:6897526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,具体来说,涉及一种。 背景技术在半导体制造工艺中,为了在半导体衬底上形成所需要的通孔或者凹槽, 用于后端互连技术中大马士革工艺等应用,需要采用刻蚀方法在半导体衬底 上刻出所需深度的沟槽。但是由于工艺控制的困难,刻蚀出来的沟槽大多有 一些缺陷,不一定能完全符合预先要求。现有技术公开了 一种在半导体衬底上的介质层中形成沟槽的方法,所述方法包括在介质层上涂布防反射涂层(Anti Reflect Coating, ARC),在所 述ARC上形...
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