技术编号:6897872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片工艺,尤其涉及一种元胞形成技术。 背景技术DMOS ( Double-diffiised Metal Oxide Semiconductor,双扩散金属氧化物半 导体)器件的性能直接决定半导体芯片的驱动能力和芯片面积。DMOS器件最 主要的电性参数之 一 是源漏导通电阻(Rdson , Static drain-Source On-Resistance)。器件源漏导通电阻Rdson是器件单位面积开态时源漏之间的 总电阻,它决定器件最大额...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。