技术编号：6897943
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及键合工艺的垂直结构发光二极管及其制作方法。 背景技术垂直结构大功率发光二极管被认为是实现半导体照明最可行的方案之一，这种方案无论 是在散热还是在提高取光效率上都有独特的优势。通常的垂直结构大功率发光二极管制作方 法有两种 一种是先在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属，然后通过电镀一层铜作为热 沉基底；另一种方法是先在氮化镓外延层上沉积接触、反光层金属，然后和硅基板键合，用 硅基板作为热沉基底。接下来的工艺是去掉氮化镓外延层的蓝宝石衬底，常见的方法...
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