技术编号:6897975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造,尤其涉及一种P、 N纸源同一扩散过程制造 硅二极管PN结的方法。技术背景硅整流二极管是重要的基础电子器件。当今硅晶体管制造普遍采用的是半 导体平面工艺,即在硅片上生长氧化硅膜后,以光刻方法开出氧化硅膜窗口, 然后进行在氧化硅膜掩蔽下的P、 N型半导体杂质定区域扩散,制成PN结。该 PN结处于氧化硅膜保护下,实现低反向漏电流。在此氧化硅膜作为绝缘介质又 起着PN结表面钝化的作用。长期以来人们对器件结构和制造工艺做了许多改进,本发明...
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