技术编号：6898059
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备超薄金属氧化物(Hf02或Zr02)栅介质薄膜的方法，具体是一种 采用软化学法制备上述超薄Hf02或Zr02栅介质薄膜的方法。二背景技术随着半导体技术的迅速发展，作为硅基微电子核心器件的金属一氧化物一半导体场 效应管(M0SFETs)的特征尺寸正按着摩尔定律，不断縮小。但是，传统的Si02栅极电 介质材料无法克服MOSFET器件特征尺寸縮小所带来的量子隧穿效应的影响，当Si02的 厚度减小到lnm时，栅极漏电流迅速增大，会导致器件可靠性恶...
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