技术编号:6898150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地,涉及可以改 善包括在发光装置中的有源层的晶体质量并因此改善装置的发光效率的制 造方法。背景技术在发光装置中,重要的是减少引起发光的有源层中的晶体缺陷比如位错,以便改善发光效率(例如,参照日本专利申请公开No. 10-335757、 11-177175和2001-168385)。为了抑制这样的晶体缺陷的形成,在具有与包括在氮化物半导体发光装 置的有源层中的量子阱层成分不同的层(比如高Al浓度的覆层)设置在有 源层附近的情形下,提出将Al...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。