技术编号:6898163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体电容元件的制作方法,特别涉及一种在半导体电容元件的碳电极表面形成一高介电常数(high-k)电容介电层的方法。 背景技术目前,已有人为了更先进半导体存储器工艺上的需要,持续研究并尝试 利用具导电性及热稳定性的碳元素作为电容的上或下电极,例如,金属-绝 缘体-碳(metal-insulator-carbon ,简称MIC)电容、碳-绝缘体-碳 (carbon-insulator-carbon , 简称 CIC)电容或多晶硅-绝缘体-碳 (...
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