技术编号：6898372
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在用例如等离子体进行半导体晶片的蚀刻处理等的处理装置中，用于进行其运转状态监视或特性评价等的方法。例如等离子体处理装置用于蚀刻处理或成膜处理等。这种等离子体处理装置例如包含在处理容器内相互平行配置的上部电极和下部电极，在下部电极上施加高频电力的同时，向处理容器内导入处理气体，通过上部电极和下部电极间的放电产生处理气体的等离子体，对半导体晶片等被处理体实施预定的等离子体处理。而且等离子体处理装置的运转状态用各自的检测器检测处理容器内的压力或下部电极...
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