技术编号:6898447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化物半导体发光器件以及制造氮化物半导体发光器 件的方法。背景技术将参照图10和11描述制造氮化物半导体激光器的常规方法。图IO是示意图,示出常规氮化物半导体激光器的内部,图11是示出常规氮化物半 导体激光器外部视图的图。在制造氮化物半导体激光器的常规方法中,氮化物半导体激光器芯片403通过焊料406焊4妄到作为热沉(heatsink)的子座(sub mount) 402上, 然后带有焊接的氮化物半导体激光器芯片403的子座402通过焊料焊接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。