技术编号:6898449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,这种半导体器件设置有氮化 镓(GaN)基底(base)高电子迁移率晶体管(HEMT)等等。背景技术近年来,因为氮化镓的物理特性,所以希望将氮化镓基底半导体器件, 例如GaN基底HEMT等等,应用于高功率和高速的器件。为了改善GaN基 底半导体器件的高频特性,导孔布线结构的单元是降低源极电感和热辐射所 必须的。下面说明制造GaN基底HEMT的传统方法。图1A至图IX是按照工艺 顺序示出制造GaN基底HEMT的传统方法的剖视图。首先如图1A所示...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。