技术编号:6898470
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体器件的方法,更具体地,涉及制造包括扩 散阻挡层的鴒(W)线的方法。背景技术随着动态随M取存储器(DRAM)器件的线宽(例如,构成晶体管 的桶t极的线宽)降低至100 nm以下,方块电阻(Rs)迅速增加,并且由 于电阻-电容(RC)延迟导致器件的高速操作特征劣化.图1A是DRAM器件中构成字线的栅极结构的顶视图。图1B说明方 块电阻Rs随线宽的变化。在DRAM器件中,通过连接线形栅极至通过浅槽隔离(STI)工艺形 成的多个存储单元区域...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。