技术编号:6898827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体结构与其中的绝缘结构的形成方法。特别是涉及一种具有过路栅极的半导体结构与过路栅极绝缘结构(passing gate isolation, PGI)的形成方法。背景技术在动态随机存取存储器(DRAM)工艺的发展中,为了要增加芯片上的 元件密度,会安排字线(word line)从上方「路过」其他未受此字线控制的 深沟槽电容,以有效提高集成度(integration)。图1即例示字线从其他未受此 字线控制的深沟槽电容上方路过的电路布局。如图1...
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