技术编号:6898837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制备方法。本发明进一步涉及形成具有栅 极结构的半导体元件。本发明特别涉及于在栅极氧化物膜上方形成氮化硅 层,该栅极氧化物膜上的氮化硅层属于半导体元件的栅极结构的 一部分。背景技术在半导体产业中,因产品世代交替的关系而使得半导体元件不断地小型 化,而此一小型化趋势带给半导体元件在制造技术上面临许多挑战,而其中之一即是关于金属-氧化物-半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tr...
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