技术编号:6898842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术。更具体地,本发明涉及一种用于形成 量子点以用于制造超樣史半导体器件的方法和一种用于4吏用该量子 点形成4册纟及的方法。背景技术随着具有高速运算能力和增长的大容量存储能力的半导体器件的发展,制造技术已经得到了发展以便制造具有改进的集成度、 可靠性、和响应速度的半导体器件。普通半导体器件的一个实例是闪存,其是由包括形成于半导体 器件坤十底上的隧穿介电层(tunneling dielectric layer)的总4册才及 (general ...
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